安山总公司、第 1 工厂和第 2 工厂以及镇川 3 工厂拥有生产和交付
显示器领域的电子级试剂
的经验和设备,目前生产约 40 种产品。

1. 电子精细化学品

产品名称 分子式 额定值 用法/描述
果树 氢2氧2 这 它与氨水和超纯水混合,用作清洁剂以去除表面的污染物。 此外,它还与硫酸等材料混合,用作有机物的清洗剂。
硫酸 氢2SO2 这 它与果树混合,用于清洁有机物。
氨水 NH2OH的 这 它与果树和超纯水混合,用作清洁剂以去除表面的污染物。
国际音标 (CH3)2CHOH ELH 它用于清洁或去除有机物表面的水分。 它还用作温热的昆虫溶液,以防止电线腐蚀。
硝酸 HNO3 这 它用于清洁设备。它还与其他酸混合并用作蚀刻溶液。
盐酸 盐酸 这 RCA处理后,用作清洁剂的一部分,去除金属离子等。
醋酸 CH3COOH 这 CH3COOH 它用作缓冲溶液,通过与表面清洁和其他酸混合来提高清洁过程的 均匀性。
磷酸盐 H3PO2 这 用作氮化硅或其他蚀刻蚀刻液的一部分。
佛山市 高频 这 用作氧化硅的蚀刻溶液。
丙酮 CH3COCH3 ELH 它用于去除表面上的有机物和清洁设备。
甲醇 CH3OH 这 它用于去除表面上的有机物和清洁设备。
乙醇 C2H2OH 这 它用于清洁设备。
蚀刻 - - 它是一种适用于每个工艺的蚀刻溶液,其组成因用户/工艺而异。
CMP的浆料和添加剂 - - CMP Sulrry 及其用于 STI 和 Cu 工艺的添加剂

2. 电子材料工艺化学品

我们的主要产品阵容

字段 项目
液晶显示器 PR Stripper 豆荚剥离器 化学回收技术。
美联储 钼蚀刻剂(Mo/电介质) 铝蚀刻剂(Al/Mo,Mo/Al/Mo)
PDP 同时去除介电层和肋层阻挡层
OLED & 显示膜 ITO蚀刻剂 铝蚀刻剂
太阳能电池 银粉 [ 3μm & 500 纳米以下 ] 镍粉 铜/银粉(银电极替代品) 铝浆 工艺化学品(IPA、HF、KOH、HCI、HNO3 等)
等。 甲基3-甲氧基丙酸盐合成 地面磁传感器 蚀刻剂 金蚀刻剂 钛蚀刻剂 缓冲氧化物蚀刻剂 PR脱墨剂 玻璃清洁剂 容积式卡尔-费休试剂 稀释产品 各种单次或同时蚀刻剂

产品列表

湿法 - 蚀刻溶液

蚀刻 性能
钼 /电介质
  • 关于蚀刻

    - 厚度 : 750 ~ 800 nm -蚀刻。速率:40 nm/秒 - CD 损耗:< 1μm(两者) - 无底切
  • 介电层蚀刻

    - 厚度:17~18μm -蚀刻。速率:0.08~1.0μm/sec
铝 /钼
  • 铝/钼层

    -蚀刻。时间 : 60 秒 ( 仅蚀刻 : 50 秒 ) - 锥度:60度以下
  • 钼层

    -蚀刻。时间 : 27 秒 ( Just etch. : 17 sec ) - 锥度:90度以下 - 与其他传统化学品相比,CD 损耗均匀性 更高
PMMA 上的黄金 /钛
  • 金/蚀刻

    - 厚度 : 500 ~ 700 nm -蚀刻。速率 : 16 ~ 20 nm/sec
  • 钛蚀刻

    - 厚度 : 500 ~ 700 nm -蚀刻。速率 : 25 ~ 30 nm/sec
氧化铟锡 Indium Tin Oxide
项目。 40°C 45°C 50°C 60°C
FeCl3 碱 780 1,140 2,100 -
HCl + HNO3 600 780 1,200 -
草酸型 12.5 18.8 25.0 50.0
675 780 1,335 -
(单位:A/我)
铬
  • 物理属性

    - 在水中的溶解度 : 完全 - 外观 : 橙色液体 - 气味 : 氯气味 - 比重 : 1.05 - 1.25

PR - 剥离剂/清洁剂

治疗 性能
有机 剥离剂
  • 光刻胶(正)

    - 正向-PR型号 : ZPP - 1900U3 - 软烤:110°C,170秒 - 光刻胶厚度:1.5um
  • 带。条件

    - 温度:70°C -带。时间 : 2 分 40 秒
玻璃 清洁剂
  • 低接触角

    - C.A : 10度以下
  • 测试条件

    - 温度:RT - 超声波时间:90 秒
  • 高消除能力

    - 去除有机残留物 - 水中无残留物
  • 应用领域

    - FPD 商用玻璃清洁剂(TFT - LCD、OLED、FED、PDP) - 表面清洁
肋层屏障 和介电 层去除剂
  • 化学条件

    室温 正常压力 无危险
  • 该系列可以去除预煅烧 肋层和介电子层。它可以是 涂抹在玻璃上的回收不良品。 特别是,它不会对玻璃上的电子线造成任何损坏。 此外,还可以获得玻璃清洁效果。 * 专利号 10-0864091
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